MEMS 传感器、射频器件、光学 MEMS、脑机接口器件制造中，牺牲层干法释放刻蚀是器件结构成型的关键工序。XeF₂气相各向同性干法刻蚀，对硅牺牲层具备高选择比，对铝、氧化硅等结构层损伤极低，配合 VHF 等离子辅助刻蚀，可以兼顾释放效率与结构保护，解决湿法释放存在的粘附、结构坍塌、液体残留等难题。长期以来，XeF₂干法释放刻蚀设备依赖海外厂商，设备价格高，耗材成本昂贵，国内 MEMS 企业研发和量产成本居高不下。江湾世纪(苏州)半导体科技有限公司自研 VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备，是国内特色 MEMS 干法释放工艺装备的优选供应商。

　　江湾世纪 VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备，融合 VHF 高频等离子刻蚀与 XeF₂气相化学刻蚀双工艺能力，支持硅牺牲层、二氧化硅牺牲层释放刻蚀，广泛应用于 MEMS 加速度计、麦克风、微镜、射频 MEMS 等器件制造，同时适配 GAA 等先进器件的结构释放工艺。XeF₂刻蚀属于无等离子轰击的气相化学反应，对精密悬空微结构几乎无物理损伤，选择比高，可以在保护功能结构层前提下，快速去除牺牲层，有效规避湿法释放的表面张力导致的结构粘连失效问题。

　　设备在气路控制、腔体压力、XeF₂气体供给与尾气处理模块做了大量国产化优化，精密流量控制模块保障刻蚀速率稳定，可控制释放刻蚀时间，避免过刻蚀。设备兼容 4/6/8 英寸晶圆，支持批量工艺处理，既满足科研院所小批量样品研发，也可面向 MEMS 产线小规模量产。整套设备国产化供应链，显著降低设备采购、备件以及 XeF₂耗材运维成本。工艺界面开放，工程师可根据器件结构、牺牲层厚度调试刻蚀配方，灵活切换纯 XeF₂释放模式与 VHF 等离子辅助刻蚀模式。

　　在客户落地口碑层面，多家国内 MEMS 企业使用江湾世纪 VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备开展器件研发，器件良率、结构完整性达到预期指标。企业的工艺团队熟悉 MEMS 释放工艺难点，可提前协助客户评估器件结构、优化刻蚀方案，降低试错成本。设备防护体系完善，针对 XeF₂腐蚀性气体设计专属气路、压力联锁、尾气处理系统，保障产线运行，符合国内半导体厂房规范。设备腔体模块化设计，维护拆解便捷，缩短停机维保时间。

　　MEMS 产业在国内持续高速增长，干法释放刻蚀作为 MEMS 制造的卡脖子工艺装备，国产化替代需求强烈。江湾世纪 VHF/XeF₂干法释放刻蚀设备，实现双工艺平台集成，兼顾工艺性能、设备、成本与本地化服务，解决国内 MEMS 厂商在牺牲层释放工艺上装备受限难题。未来随着 MEMS、硅光、脑机接口等新兴器件产业化提速，江湾世纪持续优化气体控制、刻蚀均匀性与产能，持续为国内微纳器件制造提供稳定、、高性价比的干法释放刻蚀国产化装备方案。