锗合金制备：4N~5N 级真空熔炼锗锭用于生产锗铜、锗铝、锗镁等合金，核心作用是：
提升合金的强度、硬度与耐腐蚀性（如锗铜合金用于制造航空发动机叶片、精密机械零件）；
改善合金的切削加工性能（如锗铝合金用于汽车轻量化零部件）。
医疗与生物领域：锗化合物（如有机锗）用于制备医疗敷料、保健品（需严格控制剂量），据称具有抗氧化、促进新陈代谢的作用，但应用范围较窄，市场规模有限。
核心工艺特点：
优势：设备成熟、产能大（单炉可生产 300~600mm 长锗锭）、纯度可控（6N~9N）、晶体完整性好；
局限：对原料初始纯度要求较高（需 5N 以上粗锗），单炉生产周期长（8~20 道次，合计耗时 12~36 小时）。
主要用于制备超高纯（8N~9N）或大尺寸锗锭，适配半导体、核探测等高端需求，工艺细节如下：
工艺核心原理：锗料垂直悬挂（通过籽晶固定于顶部，尾料置于底部），利用高频线圈或电子束加热形成垂直熔区，熔区从下至上移动，杂质向尾料富集，纯锗沿籽晶定向生长。
关键技术要点：
熔区稳定控制：通过电磁约束或表面张力维持熔区形态（宽度 1~2cm），避免倾斜或断裂；
气氛保护：采用高纯度 H₂气氛（纯度≥99.9999%），抑制锗氧化并还原微量氧化物杂质；
多道次优化：需 15~30 道次提纯，每道次后反向移动熔区，提升纯度均匀性。
适用场景：用于 9N 级超高纯锗锭（核辐射探测器用）、大直径锗单晶前驱体，产量占比约 5%~8%，成本较水平区熔法高 30%~50%。
