应用领域：主要用于生产锗颗粒、粉末、合金等。同时，它也是制造锗单晶的原料，还可用于掺锗光纤、氯化锗、红外和特种光学镜片、二级晶体管以及各类含锗化合物靶材等的生产。
市场价格：锗锭的市场价格长期维持在较高水平，不同纯度等级的锗锭价格差异显著，高纯锗锭的回收价格处于每公斤上万元区间。
后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
