单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。
它的工序，主要有：
切片：就是将硅棒切成薄硅片，具有一定的几何尺寸。
退火：让硅片表面发生氧化反应，通过氧化炉，使其表面形成二氧化硅保护层。
倒角：硅片进行修整，修整成圆弧形，避免产生缺陷，增加其平坦度。
目前硅片的生产已经采用多线锯切割方法，可以生产出面积较大（25cm×25 cm）而厚度又相对较薄的硅片，但是在此方法的操作过程中，金属丝要受到多种力的激励，还要受到机械结构的影响，就不可避免的在切割过程中产生变形与振动，瞬间性的冲击就会作用在切割的硅片上。